可靠性
●磁控电抗器不需要外接直流励磁电源，完全由电抗器的内部绕组来实现自动控制
●通过控制可控硅的控制角进行自动控制，实现容量连续可调，并且从最小容量到最大容量的过渡时间很短，因此可以真正实现柔性补偿.
●网侧绕组不需要抽头，所有绕组的联接也很简单，保证高压或特高压磁控电抗器的可靠性。
 
安全性
●与TCR相比，MCR仅仅需要一只二极管、两只可控硅，可控硅两端电压只有系统电压的1%-2%，无需串、并联，不容易被击穿，运行稳定可靠。
●可控硅整流控制产生的谐波不流入外交流系统，无二次谐波污染。
●即使可控硅或二极管损坏，磁控电抗器也仅相当于一台空载变压器，不影响系统其他装量的运行。
●接入三相系统的MCR采用△连接，并不是将磁控电抗器取代滤波电容中的串联电抗器，因此与电容器不会产生谐振。当MCR容量与电容器容量相等时，发生并联谐振，等效阻抗为无穷大，相当于从系统中断开。
●磁控电抗器本体就像一台变压器，可以采用不同的冷却方式。在35千伏电压等级以下均采用风冷和油冷两种自然冷却方式。所以没有辅助冷却设备，可以为无人值守的交配电系统配套使用。
 
经济性
●采用低电压可控硅控制，设备投资少，后期免维护。
●在相同电压下可提高30%的输电容量，降低输电线路的损耗。
●可取消自耦变压器第三绕组以及补偿电容器，工程总造价降低。
●磁控电抗器结构简单、占地面积小，基础投资大大压缩。
●MSVC自身有功损耗低，仅为TCR的50%。